面板驱动IC之封装型态可区分为TCP(Tape Carrier Package)、COF(Chip on Film)及COG(Chip on Glass)等三类,过去主流封装技术为TCP,不过,随著面板朝高画质及高解析度发展,及晶片轻薄短小化之需求,驱动IC线路中心到中心距(pitch)、间距(spacing)等越来越微细化,封装基板设计亦必须配合晶片电路间距微细化提供对应的封装基板,导引封装基板朝向高密度的构装技术发展。于是COF以覆晶接合方式取代TCP的TAB(Tape Automated Bonding),使得晶片与软性基板可以极高密度相接合,由于封测技术朝晶圆颗粒持续微缩与细间距(Fine Pitch)製程趋势发展,TCP内引脚间距的极限为40μm,COF已量产的最小间距为25μm,因此COF封装取代了TCP封装。
目前全球主要COF厂为韩国 LG Innotek(LGIT)与 Stemco、日商 Flexceed,以及国内的颀邦与易华电等五家。至于COF製程技术主要分为蚀刻法(又称减成法)(Subtractive) 及半加成法(Semi-additive)。由于蚀刻法採用化学原理,控制上相对不稳定,容易造成水平面布线同时被溶解掉。半加成法则是透过铜箔压合后,进行导通孔鑽洞,在特定范围添加抗腐蚀剂以便曝光所需布线,宽度不仅较符合设计需求,加上线路可高密度重複布线,良率相对较高。